Trong nhiều năm nay, các công nghệ kế tiếp trong tương lai còn đang được đưa ra bàn luận thì công nghệ bộ nhớ flash vẫn tiếp tục có những "đột phá". Vừa rồi thì Eye-Fi mới giới thiệu thẻ nhớ tích hợp Wi-Fi và mới đây nhất Samsung tiết lộ về kế hoạch phát triển chip nhớ theo công nghệ 30 nm để sản xuất thẻ nhớ dung lượng 64 GB - gấp 4 lần sức chứa lớn nhất được biết cho tới lúc này.

Các thế hệ chip nhớ flash mới nhất của các công ty được biết tới là chip nhớ MLC (multi-level cell ) 64 Gb NAND. Việc ứng dụng công nghệ sản xuất 30 nm giúp cho mỗi chip này có khả năng chứa tới 8 GB. Trong khi đó, mỗi loại thẻ nhớ như SD hay CF-II sử dụng tới 16 chip MLC. Như vậy tổng dung lượng mà thẻ nhớ có thể đạt được lên tới 128 GB. Còn SSD (solid state disks)1.8 " sử dụng tới 64 chíp công nghệ 30 nm nên có thể sức chứa tổng cộng là 512 GB.

Thẻ nhớ 128 GB không chỉ ấn tưởng bởi sức chứa rộng lớn tới 32000 file nhạc hay 80 đĩa phim DVD mà điều đáng chú ý hơn là sự vượt xa công nghệ hiện tại - công nghệ chế tạo ổ cứng dung lượng 80GB cho máy tính xách tay. Và theo Samsung thì công nghệ này còn phát triển mạnh mẽ hỡn - ngoài sự tưởng tượng của chúng ta. Samsung dự định sẽ đưa chip 64 Gb vào các sản phẩm của mình trong năm 2009.

Phiên bản 64GB NAND flash

Trong tháng tư năm nay, Samsung đã đưa công nghệ NAND flash 51 nm vào phiên bản SLC (single-level cell) 8Gb và MLC 16Gb vào sản xuất hàng loạt, gấp đôi khả năng của phiên bản 60nm MLC 8Gb đã được đưa vào sản xuất hàng loạt trong các dòng sản phẩm vào tháng 8/2006.

Minh Tiến (Theo TG Daily)