Nga: Xây dựng nhà máy sản xuất bộ nhớ MRAM

Anatoly Chubais: "Công ty Crocus của Pháp có công nghệ tốt nhất trong lĩnh vực của mình".

Công ty Rosnano của Nga và Crocus Technology của Pháp sẽ thành lập tại Nga cơ sở sản xuất bộ nhớ từ điện MRAM đầu tiên trên thế giới theo công nghệ 90 và 65 nm.

Công ty Rosnano của Nga (Tập đoàn quốc gia Công nghệ Nano Nga) và Công ty Pháp Crocus Technology đã tuyên bố kí kết thoả thuận thành lập cơ sở sản xuất bộ nhớ MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) thế hệ mới tại Nga. Theo khuôn khổ thoả thuận, Rosnano và Crocus sẽ thành lập Công ty Crocus Nano Electronics (CNE). Công ty này sẽ xây dựng tại Nga nhà máy sản xuất bộ nhớ MRAM mật độ trung bình và mật độ cao theo quy trình 90 và 65 nm ứng dụng công nghệ chuyển đổi nhiệt do Crocus phát triển. Hợp đồng trị giá 300 triệu USD, theo CNews.ru.

Phía Rosnano Nga hoạch định đầu tư vào dự án tới 3,8 tỉ ruble (gần 140 triệu USD). Trong giai đoạn đầu, Rosnano và các nhà đồng đầu tư - các quỹ đầu tư mạo hiểm CDC Innovation, Ventech, IDInvest, Partnes, NanoDimension và Sofinnova Ventures sẽ đóng 55 triệu USD vào vốn điều lệ của Crocus. Còn gần 125 triệu USD khác, các bên sẽ đưa vào xây dựng nhà máy. Trong các giai đoạn tiếp theo, người ta hoạch định còn đầu tư thêm vào dự án 120 triệu USD nữa. Số này sẽ được dùng để mở rộng sản xuất và trong tương lai sẽ được dùng để cải tiến công nghệ lên quy trình 45 nm. Phía Pháp sẽ đầu tư không dưới 51% tổng đầu tư, theo Reuters.

"Chúng tôi chọn Crocus vì tin tưởng đây là công ty đang có công nghệ tốt nhất trong lĩnh vực của mình và có khả năng đưa sản phẩm không có hình mẫu tương tự trên thế giới ra thị trường - Chủ tịch Hội đồng quản trị Rosnano Anatoly Chubais nói - Ban lãnh đạo Crocus có nhiều kinh nghiệm hợp tác với các nhà phát triển Nga. Các công ty CNE và Crocus chiếm giữ vai trò quan trọng trong chiến lược của Rosnano trong việc xây dựng tại Nga nền công nghiệp vi điện tử trên nền các công nghệ tiên tiến của thế giới".

"Các khoản đầu tư của Rosnano phản ánh ý chí của Công ty trong việc khắc phục các rào cản quốc tế và khích lệ phát triển công nghiệp công nghệ nano - Quyền Chủ tịch Hội đồng quản trị Crocus Technology Bertrand Cambou nói - Chúng tôi hân hạnh vì Rosnano đã chọn công nghệ Crocus cho các đầu tư của mình và tích cực tham gia vào thành lập cơ sở sản xuất đặc biệt của Nga hướng ra thị trường toàn cầu".

Xí nghiệp liên doanh CNE sẽ triển khai sản xuất các thiết bị MRAM đầu tiên trên thế giới với các quy trình 90 và 65 nm theo công nghệ của Crocus. Trên các tấm nền 300 mm tiêu chuẩn được sản xuất theo công nghệ CMOS, tại nhà máy sẽ triển khai thêm các lớp bổ sung để tạo thiết bị MRAM. Theo Reuters, nhà máy có thể đặt tại Zelenograd, Skolkovo hoặc vùng Kaliningrad. Biên chế của nhà máy trong giai đoạn đầu khoảng 100 người.

Trong 2 năm tới, CNE hoạch định xuất xưởng tới 500 tấm nền một tuần. Ngoài ra, người ta cũng hoạch định thành lập một trung tâm đào tạo và các trung tâm phát triển và huấn luyện sản xuất bộ nhớ máy tính mới ở Nga và trong tương lai xa hơn là sản xuất các hệ thống tất cả trên cùng đế chip (System on Chip - SoC). Trong giai đoạn đầu, Crocus sẽ đầu tư hơn 5 triệu USD vào các tổ chức nghiên cứu của Nga.

Ở Nga và các nước SNG, công việc tiếp thị và bán hàng các thiết bị sản xuất được sẽ do CNE thực hiện còn ở các nước khác, việc đó sẽ do Crocus thực hiện. Các thị trường then chốt của sản phẩm sẽ là các hệ thống lưu trữ dữ liệu, các thiết bị di động và nối mạng cũng như các dịch vụ phát triển điện toán đám mây. Ngoài các thiết bị phổ cập, bộ nhớ MRAM có thể được sử dụng trong các card thông minh, các chuyển mạch mạng, các thiết bị sinh trắc, các thiết bị kết nối giao tiếp gần (NFC) và bộ nhớ an toàn. Các ứng dụng cần tới những ưu thế của các bộ nhớ Crocus MRAM hầu như không giới hạn số lần ghi, không phụ thuộc nguồn năng lượng và có năng suất đọc/ghi cao. Sản lượng cầu của thị trường thế giới với các sản phẩm của dự án là vào khoảng hơn 40 tỉ USD một năm.

MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory - bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên từ điện) là công nghệ bộ nhớ máy tính thống nhất các ưu điểm của công nghệ bán dẫn và công nghệ từ. Các vi mạch MRAM có những ưu điểm của DRAM và bộ nhớ flash và trong khi đó lại lược bỏ được rất nhiều nhược điểm. Các dữ liệu trong MRAM được ghi nhận không nhờ vào tĩnh điện mà nhờ các phần tử phân cực từ nên đảm bảo đặc tính quan trọng của dạng bộ nhớ này là độc lập năng lượng, tức là có khả năng lưu được dữ liệu đã ghi trong trường hợp tắt nguồn. Công nghệ chuyển đổi nhiệt của Crocus là việc ghi dữ liệu sẽ được thực hiện nhờ làm nóng tế bào bộ nhớ. Tại thời điểm này, mới chỉ có Crocus thành công trong việc chế tạo chip 130 nm hoạt động được và thể hiện khả năng sản xuất bộ nhớ từ điện MRAM theo công nghệ chuyển đổi nhiệt ở quy trình 90 nm.

Theo PCWorld VN