Công ty chuyên sản xuất DRAM – Elpida Memory Inc (Nhật Bản) đã công bố phát triển thành công bộ nhớ DRAM bốn lớp mỏng 0,8 mm và đây cũng là bộ nhớ DRAM mỏng nhất thế giới.

Bộ nhớ siêu mỏng gồm bốn chip DDR2 Mobile RAMTM 2 Gb tiêu thụ ít điện năng và được đóng gói theo công nghệ Package on Package (PoP).

Với phát kiến lần này, Elpida hi vọng sẽ giúp các thiết bị di động có thiết kế mỏng hơn nhưng vẫn duy trì dung lượng bộ nhớ.

Giám đốc điều hành Elpida kiêm lãnh đạo bộ phận kinh doanh DRAM – Yoshitaka Kinoshita cho biết: “Đối với những hệ thống cần mật độ DRAM 8 Gb với độ dày 0,8 mm, giải pháp thông thường là sử dụng hai lớp với mật độ 4 Gb. Tuy nhiên, thiết kế của chúng tôi mang tính tối ưu với bốn lớp, mỗi lớp 2 Gb. Qua đó, các nhà sản xuất sẽ có thể thiết kế những hệ thống linh hoạt hơn. Dựa trên công nghệ sản xuất hàng loạt PoP cùng với sự kết hợp của công nghệ Mobile RAM, công nghệ chip xử lí siêu mỏng và công nghệ độ khuôn của Elpida, loại DRAM bốn lớp siêu mỏng đã được ra đời. Điều đặc biệt là giá thành sản xuất vẫn tương đương với các sản phẩm bộ nhớ mỏng 1 mm mà công ty đã sản xuất. Bước đi tiếp theo mà Elpida muốn hướng đến là loại DRAM siêu mỏng 4 lớp với mật độ 4 Gb”.

Theo kế hoạch, Elpida sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt loại DRAM siêu mỏng dành cho di dộng này kể từ quý 3 năm nay.

Elpida tin rằng gói chip bốn lớp không chỉ đáp ứng nhu cầu về độ mỏng của chip mà còn về nhu cầu cải tiến mật độ bộ nhớ và khả năng định hình bộ nhớ.

Công nghệ PoP đã và đang được sử dụng để lắp ghép và thử nghiệm nhiều loại chip bán dẫn khác nhau.

Trong một gói chip, các con chip được đóng đè lên nhau để định hình PoP. Kể từ khi công nghệ Pop cho phép giảm bớt khoảng trống lắp ghép và chiều dài dây dẫn, công nghệ đã được mở rộng ứng dụng sang thị trường thiết bị di động.

Những ưu điểm của công nghệ PoP gồm với việc cho phép đóng nhiều chip chồng lên nhau, khoảng cách lắp ghép và gắn kết được giảm xuống; Mỗi gói chip riêng biệt có thể được kiểm tra qua đó giúp giảm chi phí hao tổn; Độ dài dây dẫn cũng được rút ngắn, giảm thiểu ảnh hưởng phản xạ và nhiễu khi bộ nhớ và chip ASIC được kết hợp với nhau; Với việc thay thế bằng nhiều chip chồng lên nhau, mật độ bộ nhớ tăng lên và quy trình nâng cấp cũng có thể được thực hiện dễ dàng, cho phép giảm chi phí và thời gian phát triển.

Theo Vietnam+