IMFT (Intel Micron Flash Technologies) đã công bố phát triển chip NAND 128 Gbit (16 GB) multi-level cell (MLC) đầu tiên trên thế giới sử dụng quy trình công nghệ 20 nm kết hợp với công nghệ bóng bán dẫn High-K metal gate.
Dự kiến chip NAND mới sẽ được sản xuất đại trà trong nửa đầu năm 2012 và sẽ đạt lên đến đơn vị terabit (128 GB) về khả năng lưu trữ dữ liệu trong một gói có kích thước chỉ bằng ngón tay. Chip mới đáp ứng đặc tả kĩ thuật ONFI 3.0 tốc độ cao để có thể đạt được tốc độ 333 megatransfers trong mỗi giây (MT/s).
Intel và Micron cho biết, chìa khóa để họ thành công trong công nghệ xử lí 20 nm chính là dựa trên cấu trúc tế bào phẳng, cho phép mở rộng quy mô tế bào tốt hơn so với kiến trúc thông thường trong khi vẫn duy trì hiệu suất và độ tin cậy ngang với chip NAND thế hệ trước.
Liên doanh này cũng đã công bố sản phẩm bộ nhớ flash NAND 64 Gbit 20 nm và sẽ đưa vào sản xuất hàng loạt ngay trong tháng này. Chip 64 Gbit 20 nm (8 GB) này có kích thước 118 mm2 và có khả năng giảm 30-40% không gian so với chip 64 Gbit 25 nm (8 GB) hiện tại.
Được thiết kế để sử dụng cho tablet, smartphone và ổ tĩnh SSD dung lượng cao, bộ nhớ NAND 20 nm nhỏ hơn sẽ cho phép các nhà sản xuất nhồi nhét thêm vào nhiều tính năng mới cho thiết bị, thậm chí có thể sử dụng không gian này để bổ sung những thứ khác, chẳng hạn như pin hay màn hình lớn hơn, phần cứng mới,... Bên cạnh đó, chip mới cũng sẽ giúp giảm chi phí bộ nhớ NAND nhiều hơn nữa.
Bình luận