Ngày 23/2, tập đoàn Toshiba đã công bố bước đột phá trong công nghệ flash NAND, với sản phẩm mới hội tụ những ưu thế quan trọng về hiệu suất và mật độ nhớ.

Trong thế hệ 19 nanomet (nm), Toshiba đã phát triển chip 128 gigabit (Gb) 3 bit/cell, với kích cỡ khuôn nhỏ nhất thế giới là 170mm2, và tốc độ ghi nhanh nhất 18 MB/s trong số các thiết bị 3 bit/cell.

Loại chip mới đã được Toshiba đưa vào sản xuất hàng loạt từ đầu tháng này.

Trước đó, vào ngày 22/2, Toshiba và đối tác công nghệ SanDisk từng công bố những tiến bộ công nghệ quan trọng của họ tại Hội nghị Mạch Bán dẫn Quốc tế (ISSCC) tại San Francisco, California.

Các nhà sản xuất bộ nhớ flash NAND phải đáp ứng yêu cầu tăng mật độ nhớ với mức giá cạnh tranh cho các sản phẩm như bộ nhớ USB và thẻ nhớ. Toshiba đã đạt được cả 2 yếu tố thông qua ứng dụng các công nghệ đột phá của mình.

Thiết bị thế hệ 19nm 3 bit/cell mới sử dụng thuật lập trình 3 bước và công nghệ khoảng không cho các tranzito, giúp giảm điểm nối giữa các khối nhớ xuống còn 5%, đạt tốc độ ghi 18 MB/s.

Toshiba cũng đã tối ưu hóa cấu trúc mạch ngoại vi của chip, đảm bảo giảm tới 20% diện tích so với các dòng chip hiện tại. Nhờ thế mà chip mới của Toshiba có kích thước khuôn chỉ 170 mm2, nhỏ nhất thế giới ở mật độ chip tương ứng.

Hiện nay, Toshiba và SanDisk tiếp tục duy trì vị thế dẫn đầu của hai hãng trong lĩnh vực phát triển và sản xuất bộ nhớ flash NAND tiên tiến. Toshiba cam kết sẽ thúc đẩy quá trình phát triển các công nghệ ưu thế của mình để mở rộng phạm vi ứng dụng và thị trường bộ nhớ flash NAND.