Samsung vừa công bố thông tin chi tiết về VXL lõi kép Exynos 5 Dual có tốc độ 1,7 GHz dựa trên kiến trúc ARM Cortex-A15 và được sản xuất trên quy trình công nghệ 32 nm.

Exynos 5 Dual là phiên bản nâng cấp đáng kể so với Exynos Quad 4 (hiện được sử dụng trong Galaxy S3 bản quốc tế) và sẽ là đối thủ cạnh tranh trực tiếp với Snapdragon S4 sản xuất trên quy trình công nghệ 28 nm. VXL mới của Samsung sẽ cải thiện đáng kể khả năng xử lí đồ họa, tăng tốc, hỗ trợ thêm các kết nối và kéo dài thời lượng pin.

Được tích hợp GPU 4 nhân Mali-T604 giúp nâng khả năng hỗ trợ độ phân giải tối đa lên 2560 x 1600 (WQXGA), Exynos 5 Dual còn được thêm các thư viện lập trình đồ họa bao gồm OpenGL ES 3.0, OpenCL 1.1 và hỗ trợ DirectX 11. Theo ARM, hiệu năng GPU T604 sẽ cao gấp 5 lần so với GPU thế hệ tiền nhiệm.

Không chỉ có vậy, Exynos 5 Dual cũng hỗ trợ kết nối USB 3.0 và SATA III nhằm cải thiện tình trạng thiếu bộ nhớ trong tương lai. Dòng LPDDR2 400 MHz hỗ trợ trên Exynos 4 cũng được thay bằng LPDDR3 800 MHz (LP là kí hiệu của dòng RAM tiết kiệm điện năng) cung cấp hiệu năng làm việc cao hơn LPDDR2 500 MHz được hỗ trợ trên Snapdragon S4. Tốc độ truyền tải dữ liệu của bộ nhớ nhờ hỗ trợ giao tiếp USB 3.0 và SATA III được tăng tốc đáng kể, khoảng 12,8 GBps.

Cũng theo Samsung, VXL mới của hãng sẽ tiết kiệm điện năng hơn nhiều so với VXL lõi tứ Exynos 4 Quad ra mắt trước đó.

Hiện chưa có thông tin về các sản phẩm được trang bị VXL mới, kể cả Galaxy Note 10.1 sắp ra mắt.

Theo The Verge