Hôm 30/4, Samsung đã công bố sản xuất chip nhớ di động DRAM tiêu thụ ít điện năng, có tốc độ siêu nhanh đầu tiên trên thế giới, có thể truyền 3 tín hiệu video Full HD độ dài 17 GB chỉ trong một giây.

Công nghệ này sử dụng một mạch điện nhỏ gọn nhất từ trước tới nay. Công nghệ mới sẽ giúp các thiết bị di động đầu tiên có thể đạt tới hiệu suất của chuẩn DRAM thường thấy trên các máy tính hiện nay - khả năng đáng kinh ngạc.

Young-Hyun Jun Phó chủ tịch phụ trách kinh doanh bộ nhở của Samsung cho biết, bằng cách cung cấp bộ nhớ di động thế hệ mới hiệu quả nhất với dung lượng dữ liệu rất lớn, hiện Samsung đang tạo điều kiện cho các nhà sản xuất thiết bị gốc giới thiệu các thiết kế cải tiến hơn ra thị trường.

Chip mới được sản xuất theo quy trình 20 nm, có thể truyền dữ liệu với tốc độ cực đại 2,1 Gbit/giây/chân, so với hiệu suất của LPDDR2 trước đây là 800 Mbit/giây.

Samsung cho biết, chip nhớ LPDDR3 cho phép hiển thị nội dung video Full HD trên smartphone có màn hình 5 inch hoặc lớn hơn. Nếu so với LPDDR3 DRAM sản xuất theo quy trình 30 nm, thiết bị mới cải thiện hơn 30% hiệu suất và tiết kiệm 20% điện năng tiêu thụ.

Quy trình sản xuất 20 nm cũng cung cấp các thiết bị di động có bộ nhớ 2 GB bằng cách sử dụng 4 con chip (4 Gbit) mới.

Samsung cho biết, họ có kế hoạch tăng sản lượng vào cuối năm nay. Động thái này có nghĩa rằng, công nghệ mới có thể sẽ được áp dụng trên smartphone cỡ bự Galaxy Note 3 sắp tới.

Theo PC World