RAM 128 GB của SK Hynix sử dụng các chip nhớ 8 Gb DDR4 được phát triển trên công nghệ tiên tiến 20 nm. Hynix cho biết RAM mới có mật độ lớn hơn gấp đôi so với mật độ của bộ nhớ RAM 64 GB hiện tại sử dụng công nghệ TSV (Through Silicon Via).

Bộ nhớ RAM mới từ SK Hynix có thể hoạt động ở tần số 2133 MHz và hỗ trợ giao thức nhập/xuất 64 bit, cho phép chúng có thể xử lí dữ liệu lên đến 17 GB/s. Chúng sử dụng nguồn điện áp 1,2V, nghĩa là tiết kiệm điện năng hơn so với RAM DDR3 hiện tại sử dụng nguồn điện áp 1,35V.

Theo SK Hynix cho biết, bộ nhớ RAM 128 GB 8 Gb và 64 GB 8 Gb nhỏ hơn sẽ bắt đầu được bán ra vào nửa đầu năm 2015. Thị trường mà sản phẩm hướng đến là môi trường máy chủ, nơi mật độ bộ nhớ cao cùng với khả năng tiết kiệm điện năng là cần thiết.

Với khả năng hỗ trợ của các bo mạch chủ có thể lên đến 4 khe cắm RAM như ngày nay, cùng với mô-đun bộ nhớ mới thì người dùng hoàn toàn có thể chờ đợi các hệ thống có RAM đến 512 GB.

Theo Người Lao Động