Cùng với nền tảng Haswell-E, thế hệ bộ nhớ mới DDR4 xuất hiện và nhấn mạnh ba điểm cải tiến quan trọng nhất là mật độ bóng bán dẫn (transistor) cao hơn, tốc độ truy xuất nhanh và sử dụng năng lượng hiệu quả hơn so với DDR3.

DDR4 có mức tiêu thụ điện năng giảm còn 1,2V và băng thông lớn hơn nhờ phát triển của tuyến truyền (bus) dữ liệu hoàn toàn mới. Theo đặc tả kĩ thuật tổ chức JEDEC công bố, DDR4 có tốc độ truyền tải dữ liệu đạt 3,2 Gigatransfer/giây trong khi DDR3 là 1,6 Gigatransfer/giây, điện thế đầu vào là 1,2V - giảm khoảng 20% so với mức 1,5V của DDR3 và xung nhịp từ 2133 - 3200 MHz.

Tuy nhiên trong giai đoạn đầu, không phải tất cả chip nhớ DDR4 đều đạt được cả ba điểm trên và dòng chip mới của Samsung đã giải quyết được vấn đề này.

Trong thông báo mới, Samsung cho biết đã bắt đầu sản xuất bộ nhớ DDR4 công nghệ 20 nm dành cho máy chủ và những sản phẩm đầu tiên dung lượng 32 GB, chạy ở xung nhịp 2400 MHz, nhanh hơn đáng kể so với mức 1866 MHz của bộ nhớ máy chủ DDR3.

Đại diện Samsung Electronics cho biết thêm, thiết kế các chip nhớ DDR4 DRAM dung lượng 8 Gbit áp dụng công nghệ sản xuất 20 nm giúp gia tăng mật độ transistor trong mỗi chip, mang lại hiệu suất cao hơn và tiết giảm đáng kể chi phí tiền điện hàng tháng.

Ngoài ra, chip 8 Gbit mới cũng cho phép sản xuất các mẫu RAM DDR4 dung lượng 128 GB nhờ công nghệ silicon 3D. Về phía người dùng cá nhân thì điều này không có nhiều ý nghĩa tuy nhiên trong môi trường doanh nghiệp lại rất quan trọng, đặc biệt là các data center (trung tâm dữ liệu) với dung lượng bộ nhớ hàng terabyte và hoạt động liên tục 24/7.

Về phía DDR3, Samsung sẽ giới thiệu chip 4 Gbit công nghệ 20 nm dành cho máy tính cá nhân và chip LPDDR3 6 Gbit cho thiết bị di động.

Theo PC World VN. Nguồn Tomshardware.