Mới đây, một số người dùng đã phàn nàn về việc chiếc iPhone 6 và iPhone 6 Plus phiên bản 128 GB gặp phải những lỗi như treo máy, “văng” ra khỏi ứng dụng và tự khởi động lại.

Theo thông tin từ trang Business Korea, nguyên nhân có thể xuất phát từ bộ nhớ flash TLC NAND được sử dụng cho phiên bản 128 GB của bộ đôi iPhone 6. Mặc dù chưa nhận được thông tin phản hồi nào từ Apple, tuy nhiên, theo một số tin đồn, Táo Khuyết có thể sẽ phải thu hồi toàn bộ số iPhone 6 này và thay thế bộ nhớ TLC NAND bằng bộ nhớ MLC NAND.

MLC (Multi-level cell) là bộ nhớ lưu trữ 2 bit dữ liệu trên cùng 1 cell. Bộ nhớ này có chi phí sản xuất rẻ, thường được sử dụng trong các thiết bị lưu trữ di động phổ thông. Trong khi đó, bộ nhớ TLC (Triple-level cell) lưu trữ lên tới 3 bit trên mỗi cell, do vậy, có tốc dộ truyền tải dữ liệu chậm hơn, tỉ lệ lỗi cao và tuổi thọ thấp hơn bộ nhớ MLC, thường được sử dụng trong các thiết bị cấp thấp.

Tuy nhiên, trang 9to5mac lại phủ nhận điều này khi cho rằng lỗi trên iPhone 6 hoàn toàn không liên quan tới bộ nhớ flash NAND. Cùng quan điểm, trang DigiTimes cũng cho rằng nguyên nhân của các lỗi trên bộ đôi iPhone 6 phiên bản 128 GB không thể là do hệ thống điều khiển bộ nhớ. DigiTimes cũng khẳng định, bộ nhớ TLC NAND đã phải trải qua các thủ tục kiểm tra nghiêm ngặt của Apple trước khi chính thức được sử dụng trên các sản phẩm iPhone.

Được biết, bộ nhớ flash TLC NAND được Apple trang bị cho các phiên bản 128 GB của iPhone và iPad. Trong khi đó, các phiên bản còn lại vẫn sử dụng bộ nhớ Flash MLC NAND. Hiện tại, Táo Khuyết vẫn chưa có phản hồi về vấn đề này.

Theo VTV.