Không lâu sau khi hình ảnh rò rỉ được trang MobileFun (Anh) quả quyết là bộ đôi Galaxy S6 Edge Plus và Galaxy Note 5 lan truyền với tốc độ chóng mặt trên các diễn đàn mạng, giới công nghệ tiếp tục đón nhận thêm một thông tin mới về mẫu phablet tiếp nối của Samsung.

Theo đó, kết quả thử nghiệm (benchmark) của trang Geekbench cho thấy một sản phẩm mới của Samsung mang mã hiệu SM-N920V được trang bị 'bo mạch Exynos 7420" và RAM 4 GB.

Trang GSMArena dự báo, RAM trên Note 5 sẽ là dòng DDR4 tốc độ cao.

Giới thạo tin cho hay, SM-N920V chính là mẫu Galaxy Note 5 mà hãng điện tử Hàn Quốc có kế hoạchtrình làng vào ngày 12/8 tới.

Kết quả benchmark mà Geekbench dù không nói rõ bộ xử lí Note 5 sẽ trang bị, nhưng giá trị "universal7420" được liệt kệ ở đặc tả bo mạch chủ (motherboard) đã phần nào cho thấy mẫu phablet thế hệ tiếp nối sẽ sử dụng chung bộ xử lí Exynos 7420 với bộ đôi smartphone cao cấp nhất hiện nay của Samsung là Galaxy S6 và S6 Edge.

Galaxy Note 5 từng được đồn thổi sẽ được Samsung trang bị màn hình phẳng 5,67 inch, bộ xử lí Exynos 7422 vốn được cho là có khả năng kết hợp bộ xử lí 8 nhân, GPU, RAM, bộ nhớ lưu trữ và modem LTE vào một “gói” duy nhất và kèm theo đó là sự trợ lực từ bộ nhớ RAM 3 GB.

Ngoài ra, Galaxy Note 5 cũng được kì vọng sẽ sở hữu camera sau 13MP hỗ trợ chống rung quang học, camera selfie kế thừa từ mẫu Galaxy S6, cổng USB Type-C và đi kèm bút cảm ứng S-Pen.

Hiện tại còn có thông tin cho rằng, màn hình trên Note 5 sẽ ở mức 5,89 inch, cũng như có thêm phiên bản với màn hình có 2 cạnh vát cong tựa như người anh em Galaxy S6 Edge.

Theo PC World VN.