Galaxy S9 có thể là smartphone đầu tiên trên thị trường được tích hợp chip Snapdragon 845 mới và mở ra một chương mới cho sạc nhanh.

Công nghệ sạc nhanh Quick Charge 4+ có trên Snapdragon 845 mà Qualcomm giới thiệu gần đây chắc chắn thu được nhiều sự chú ý của cộng đồng công nghệ, đặc biệt sau khi OnePlus 5T đã chiếm ngôi vương khi trở thành smartphone có tốc độ sạc pin nhanh nhất hiện nay.

Nguyên nhân bởi vì, mặc dù OnePlus 5T sạc cực nhanh nhưng sự phối hợp của Samsung và Qualcomm sẽ đẩy mạnh Quick Charge 4+, giúp thúc đẩy ngành công nghiệp sạc nhanh trở nên tốt hơn. Không chỉ mang đến khả năng sạc nhanh, Quick Charge 4+ cũng đi kèm khả năng sạc pin an toàn hơn, mà một phần lớn trong sáng kiến này chính là khả năng giám sát nhiệt độ đầu nối và nhiệt độ vỏ điện thoại đồng thời.

Quick Charge 4+ hoạt động với một tính năng được gọi là Intelligent Thermal Balancing. Với hệ thống này, bộ xử lí giám sát mức nhiệt của mỗi kênh trong pin, từ đó điều chỉnh gửi năng lượng đến kênh nào mát hơn. Galaxy S9 có thể sử dụng tính năng này để tránh hoàn toàn sự cố đã tồn tại như trên Galaxy Note 7.

Mặc dù Samsung hiện đang phát triển công nghệ sạc nhanh gấp 5 lần so với trước đây nhưng Galaxy S9 chắc chắn sẽ chưa được thử nghiệm với điều này, và bản thân thiết bị cũng chỉ đơn giản là sạc nhanh hơn mà thôi. Khi xét riêng về Quick Charge, tốc độ sạc có lẽ chỉ cải thiện khoảng 15%.

Cùng với việc tăng tốc độ sạc pin, Galaxy S9 của Samsung còn được cung cấp một loạt tính năng mới cả bên trong lẫn bên ngoài. Khá nhiều tính năng Galaxy S9 xuất hiện trong thời gian gần đây, bao gồm vị trí cảm biến dấu vân tay được di chuyển xuống dưới camera mặt sau thay vì ở phía bên như trước đây.

Theo Tạp chí công nghệ.