Chỉ sau hơn 1 năm phát triển chip Universal Flash Storage (eUFS) 512 GB trước khi đưa vào Galaxy Note 9 ra mắt vào tháng 8 năm ngoái, Samsung đã tiếp tục giới thiệu phiên bản mới của công nghệ với bộ nhớ lưu trữ gấp đôi.

Theo thông báo của nhà sản xuất Hàn Quốc, Samsung hiện đã vượt qua ngưỡng dung lượng lưu trữ 512 GB trong ngành công nghiệp định dạng bộ nhớ flash UFS bằng việc phát triển ra chip nhớ 1 TB nhờ sự kết hợp của 16 lớp bộ nhớ flash V-NAND 512 Gigabit (Gb) tiên tiến nhất của Samsung và bộ điều khiển độc quyền mới được phát triển. Firmware mới cũng không hề kém cạnh về hiệu năng, tự hào cung cấp tốc độ đọc tuần tự lên đến 1.000 MB/s và tốc độ ghi tuần tự 260 MB/s.

Phó chủ tịch điều hành của Samsung Electronics và Marketing, Cheol Choi cho rằng eUFS 1 TB dự kiến ​​sẽ đóng một vai trò quan trọng trong việc mang lại trải nghiệm người dùng giống máy tính xách tay hơn cho thế hệ thiết bị di động tiếp theo.

Choi cũng nói thêm rằng Samsung cam kết đảm bảo chuỗi cung ứng đáng tin cậy nhất và số lượng sản xuất phù hợp để đáp ứng kịp thời cho sự ra mắt của các smartphone hàng đầu sắp tới nhằm thúc đẩy tăng trưởng của thị trường di động toàn cầu.

Galaxy S10+ 5G sẽ là smartphone đầu tiên sử dụng bộ nhớ eUFS mới từ Samsung?

Tất nhiên, câu hỏi sẽ là liệu chúng ta sẽ thấy một mẫu điện thoại hàng đầu của Samsung trong năm 2019 sẽ trang bị chip nhớ mới hay không? Với tuyên bố được đưa ra của Choi, có lẽ điều này có thể xảy ra trong năm nay, đặc biệt khi có những tin đồn cho biết phiên bản 5G của Galaxy S10+ mà Samsung ra mắt nửa cuối năm 2019 này sẽ đi kèm bộ nhớ trong 1 TB.

Theo Dân Việt.