Theo tin tức cập nhật từ trang Trustedreviews cho biết Samsung đã phát triển thành công chip DRAM siêu tốc thế hệ mới và có thể đóng gói hoàn chỉnh thành các module RAM dung lượng 4 GB dành cho những thiết bị di động cao cấp trong năm 2015.

Được biết, thế hệ DRAM di động mới LPDDR4 (8 gigabit) được Samsung thiết kế dựa trên quy trình 20 nm và có hiệu năng gấp đôi so với các bộ nhớ DDR3 4 gigabit trước đây. Không chỉ có hiệu năng cao hơn, các module RAM di động dung lượng 2 GB thế hệ mới của Samsung còn được cho là có mức tiêu thụ điện năng hiệu quả hơn 40% so với bộ nhớ DDR3.

Đại diện Samsung các mẫu smartphone tương lai sẽ có thể ghi hình và hiển thị tốt hơn nội dung video độ phân giải UHD (4K) nếu được trang bị RAM siêu tốc thế hệ mới của hãng vốn có tốc độ truyền tải dữ liệu lên đến 3,2Gbps.

Cũng theo thông tin từ hãng, thế hệ RAM siêu tốc mới này cũng tương thích tốt với bộ xử lí Qualcomm Snapdragon 810 dự kiến cũng sẽ được ra mắt trong năm 2015.

Trang Computerworld cho biết Samsung đã sẵn sàng cho việc chuyển các mẫu RAM siêu tốc thế hệ mới với các mức dung lượng 2 GB và 3 GB của mình đến tay các nhà sản xuất thiết bị di động trong tháng 12/2014.

Riêng dòng RAM LPDDR4 dung lượng 4 GB sẽ được cung cấp cho các nhà sản xuất vào đầu năm 2015.

Cách đây không lâu, làng smartphone thế giới từng xuất hiện thông tin đồn thổi rằng chiếc Sony Xperia Z4 sẽ ra mắt trong năm 2015 và trang bị RAM 4 GB do Samsung cung cấp.

Theo PC World VN.