Ngày 3/1, trong khuôn khổ sự kiện CES, Qualcomm đã công bố việc công ty con Qualcomm Technologies, Inc. ra mắt nền tảng di động cao cấp mới nhất mang tên Qualcomm SnapdragonTM 835 tích hợp X16 LTE. Vi xử lí Snapdragon 835 là nền tảng di động đầu tiên được sản xuất thương mại trên quy trình FinFET 10nm, mang đến hiệu năng đột phá và khả năng tiết kiệm điện năng vượt trội.

Các thành phần chính của vi xử lí Snapdragon 835 bao gồm modem X16 LTE tích hợp cho kết nối LTE mức độ Gigabit, tích hợp 2x2 802.11ac Wave 2 Wi-Fi và Bluetooth 5, và tùy chọn 802.11 ad cho kết nối Multi-gigabit. CPU Qualcomm KryoTM 280 và Qualcomm Hexagon 682 DSP cải thiện đáng kể năng lực xử lí và hiệu năng, cũng như hỗ trợ TensorFlow phục vụ cho máy học (machine learning) và Halide để xử lí hình ảnh. Vi xử lí Snapdragon 835 cũng mang đến nhiều cải tiến đáng kể cho hệ thống xử lí hình ảnh Qualcomm® AdrenoTM, bao gồm GPU 540 Adreno mới và bộ xử lí cảm biến hình ảnh (ISP)Qualcomm SpectraTM 180 cho các tính năng chụp ảnh thế hệ mới. Một điểm nổi bật khác của Snapdragon 835 là nền tảng bảo mật Qualcomm HavenTM hỗ trợ khả năng bảo mật tiên tiến bằng sinh trắc học và chứng thực thiết bị.

“Vi xử lí Snapdragon cao cấp mới của chúng tôi được thiết kế để đáp ứng các nhu cầu về thực tế ảo di động và kết nối mọi lúc mọi nơi, đồng thời vẫn đạt tiêu chí mỏng và nhẹ”, ông Cristinao Amon, Phó Chủ tịch cấp cao của Qualcomm Technologies kiêm Chủ tịch QCT, cho biết, “Snapdragon835 đã đạt mức tích hợp công nghệ cao chưa từng có, hỗ trợ thời lượng pin dài hơn, cải thiện chất lượng đa phương tiện, và chất lượng hình ảnh tuyệt hảo với tốc độ ở mức gigabit, mang lại trải nghiệm nhanh và mượt mà.””.

Snapdragon 835 đang được sản xuất và dự định sẽ được sử dụng trong các thiết bị thương mại vào nửa đầu năm 2017. Kính mời quý vị ghé qua gian hàng của Qualcomm Technologies tại CES – quầy số 10948, Central Hall, Trung tâm hội nghị Las Vegas để xem trực tiếp các màn trình diễn hoặc vào website của chúng tôi để biết thêm chi tiết.